1、高頻低阻電解電容器的基本要求
①、適應小型化發展，必須是小型化
②、適應高頻化的發展，必須盡可能提高f0，改善高頻特性，除了降低tanδ外，主要是降低ESL
③、為提高濾波效果，應盡可能降低Z或ESR.也有利降低溫升，發熱功率P= I~2ESR,提高耐紋波能力
2、低壓高頻低阻電解電容器
①、小型化
為小型化應選擇高比容箔，但高比容必然增加箔電阻，不利于降ESR，應取兩者之平衡，在尺寸允許情況下，可選低一點的比容箔。為解決這方面的矛盾，特意研究了高頻低阻抗專用箔，特點是高比容低損耗，即在追求高比容的同時，盡可能降低箔電阻。
在腐蝕技術及化成技術兩方面都下功夫。腐蝕技術主要追求在高倍率腐蝕的同時盡可能不提高箔電阻，形狀大小有利于腐蝕表面的有效利用。
化成技術主要是提高腐蝕表面的有效利用率，提高氧化膜質量，特別是耐壓系數（單位電壓所需氧化膜的厚度），如果單位電壓所需氧化膜厚度降低，就意味著電容量的上升。除非特殊需要（大波紋，長壽命，高溫）一般不提高箔的耐壓要求。
②、高頻化
為提高f0,這里主要討論降低ESL應采取的措施。
高頻低阻電解電容器電感主要由引線條及芯子電感組成
引線引條電感對引線式電容器，選擇粗短的引線有利于降電感，對于蓋板式電容器引條電感與引條的長、寬、厚有關，也與引線根數有關。
一條引條的電感b、a、t分別為引線條長、寬、厚。
多根引條的電感n為引條根數，K1引條間的電感系數
引條長，電感大，引條短，電感小。引線根數多電感降低
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